施敏美国国籍华裔科学家，微电子、半导体器件专家，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，中国工程院院士，台湾中央研究院三院院士。

1936年出生，1957年毕业于台湾大学，1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位，1963年至1989年在贝尔实验室工作。

他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。他在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标。

施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册。1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

施敏博士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。