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    施敏(Simon M•Sze)(1936—)
    添加时间 2018/9/15 22:23:01  浏览次数 808 次

    施敏美国国籍华裔科学家,微电子、半导体器件专家,台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授,美国工程院院士,中国工程院院士,台湾中央研究院三院院士。

    1936年出生,1957年毕业于台湾大学,1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位1963年至1989年在贝尔实验室工作。

    他是非挥发MOS场效应记忆晶体管(MOSFET)的发明者,这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一,是移动电话、笔记本电脑、IC卡、数码相机及便携式电子产品的关键部件。他在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献。此外,他还有多项创造性成果,如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件,首先发现崩溃电压与能隙的关系,建立了微电子元件最高电场的指标。

    施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名。他的三本专著已在我国翻译出版,其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字,发行量逾百万册。1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖(Ebers奖),称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

    施敏博士多次来国内讲学,参加我国微电子器件研讨会;他对台湾微电子产业的发展,曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。

    施敏院士曾于2011411日应邀来我校做题为“走過二十世紀微電子科技”的学术报告。
         

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